2017年2月3日，普冉半導(dǎo)體獲得Pre-A輪融資，金額未透露，投資方為賽伯樂(lè)投資。
　　2019年10月29日，普冉半導(dǎo)體獲得A輪融資，金額未透露，投資方為同創(chuàng)偉業(yè)、元禾控股、亦合資本。
　　2020年1月15日，普冉半導(dǎo)體獲得A+輪融資，金額未透露，投資方為張江火炬創(chuàng)投。

　　普冉半導(dǎo)體（上海）有限公司是非易失性存儲(chǔ)器、高安全存儲(chǔ)器、無(wú)刷直流風(fēng)機(jī)以及高性能磁傳感芯片的供應(yīng)商。作為一家技術(shù)創(chuàng)新型半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司，公司成立于2012年，總部位于上海張江高科技園區(qū)，深圳設(shè)有銷售和現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用服務(wù)與支持中心，同時(shí)在北京、臺(tái)灣和韓國(guó)設(shè)有辦事處。
　
　　作為半導(dǎo)體行業(yè)的創(chuàng)新者，普冉聯(lián)合國(guó)內(nèi)領(lǐng)先晶圓廠，整合最先進(jìn)的設(shè)計(jì)和工藝優(yōu)勢(shì)，致力于研發(fā)28nm~55nm超低功耗、高可靠性的NOR型串行Flash存儲(chǔ)器產(chǎn)品，可應(yīng)用于傳統(tǒng)的消費(fèi)類和工業(yè)市場(chǎng)以及新興的應(yīng)用市場(chǎng)。普冉的NOR型串行Flash存儲(chǔ)器產(chǎn)品，具有極具競(jìng)爭(zhēng)力的裸芯片尺寸和超高性能優(yōu)勢(shì)，為MCP 和MCU 方案商提供了一個(gè)很好的選擇。
　
　　普冉還推出的130nm 非易失性IIC EEPROM存儲(chǔ)器具備業(yè)界領(lǐng)先的400萬(wàn)次擦寫壽命、6KV靜電防護(hù)能力、極低的工作電流和靜態(tài)功耗，在智能電網(wǎng)、汽車前裝、工業(yè)控制、以及新興的IoT領(lǐng)域廣泛應(yīng)用。

　　普冉半導(dǎo)體（上海）有限公司是專注于汽車、工業(yè)及消費(fèi)類應(yīng)用的超低功耗Flash存儲(chǔ)器、高安全Flash存儲(chǔ)器、高可靠性EEPROM存儲(chǔ)器、直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)及高性能磁傳感芯片的無(wú)自有晶圓廠半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司。公司成立于2012年，總部位于上海張江高科技園區(qū)，在深圳南山科技園新區(qū)設(shè)有銷售和現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用服務(wù)與支持中心。
　
　　作為半導(dǎo)體行業(yè)創(chuàng)新者，普冉推出業(yè)界最為領(lǐng)先的55nm超低功耗NOR Flash Memory，具備100nA休眠功耗和小于5mA擦寫讀功耗，廣泛用于IoT、手持、OLED屏、穿戴、安防、PC、家電、太陽(yáng)能和車載娛樂(lè)領(lǐng)域。
　
　　新一代110nm非易失性EEPROM存儲(chǔ)器具備國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的400萬(wàn)次擦寫壽命、6KV靜電防護(hù)能力、極低的工作電流和靜態(tài)功耗，在智能電網(wǎng)、汽車前裝、工業(yè)控制領(lǐng)域廣泛應(yīng)用。
　
　　普冉配合國(guó)內(nèi)領(lǐng)先半導(dǎo)體企業(yè)開發(fā)的40-55nm高安全Flash產(chǎn)品也成為國(guó)內(nèi)金融IC產(chǎn)品打破國(guó)外壟斷的先行者和貢獻(xiàn)者。
　
　　普冉致力于成為世界領(lǐng)先的利基市場(chǎng)非易失存儲(chǔ)器芯片及新型存儲(chǔ)器芯片設(shè)計(jì)公司。